Les diodes Schottky de 2e génération offrent une efficacité, une fiabilité et une gestion thermique améliorées
16 mars 2019
Littelfuse, Inc. a présenté deux séries de diodes Schottky de 2e génération au carbure de silicium de 650 V certifiées AEC-Q101. Les diodes Schottky SiC des séries LSIC2SD065CxxA et LSIC2SD065AxxA sont disponibles avec un choix de courant nominal (6A, 8A, 10A, 16A ou 20A). Elles offrent une variété d’avantages en termes de performances, notamment un courant de récupération inverse négligeable, une capacité de surtension élevée et une température de jonction maximale de 175 °C.
Comparées aux diodes à jonction PN au silicium standards, les diodes Schottky SiC de 650V entraînent moins de pertes de commutation et une augmentation de l’efficacité et de la robustesse du système électronique de puissance. Parce qu’elles dissipent moins d’énergie et peuvent fonctionner à des températures de jonction plus élevées que les solutions à base de Si, elles permettent des dissipateurs de chaleur plus petits et une empreinte système réduite. Cela offre aux utilisateurs finaux tous les avantages des systèmes plus compacts et économes en énergie, ainsi que la possibilité de réduire le coût total de possession.
Pour plus d’information : https://www.littelfuse.com/
